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英特尔利用硅开发出40Gbps超高速光调制器

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英特尔利用硅开发出40Gbps超高速光调制器

据国外某网站报道,英特尔已经正式宣布利用硅开发出了40Gbps的超高速的光调制器。新产品为MZI型,“通过调整行波电极的设计,实现了40Gbps的调制”(英特尔)。行波电极是在光和高频电信号前进的方向上,根据相位在一定距离设置的相互作用电极。其特点是调制效率高,易于实现高速化及低压驱动。

  英特尔曾于2005年5月利用硅开发出了10Gbps的光调制器。今后,该公司还计划将25个40Gbps光调制器集成在一枚芯片上,实现1Tbps的传输容量,以用于超级计算机的板卡间通信等。

  英特尔已经将采用上述光调制器实现的30Gbps调制成果发表在了2007年1月22日的光通信技术学术杂志《Optics Express》上。并在2007年7月8~11日于美国犹他州举行的国际会议“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上,宣布传输速度达到了40Gbps。

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